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LED照明道理-澳门金沙9905com-3777.com的网址

更新工夫:2015-12-12

  LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其中心是PN结。因而它具有一样平常P-N结的I-V特性,即正领导通,反向停止、击穿特性。另外,正在肯定条件下,它借具有发光特性。正在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方地区的少数载流子(少子)一部分取多半载流子(多子)复合而发光。假定发光是正在P区中发作的,那么注入的电子取价带空穴间接复合而发光,大概先被发光中央捕捉后,再取空穴复合发光。除这类发光复合中,借有些电子被非发光中央(这个中央介于导带、介带中央四周)捕捉,然后再取空穴复合,每次开释的能量不大,不克不及构成可见光。发光的复合量相对非发光复合量的比例越大,光量子效力越下。因为复合是正在少子散布区内发光的,以是光仅正在接近PN结面数μm之内发生。
  实际和理论证实,光的峰值波长λ取发光地区的半导体材料带隙Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)
  式中Eg的单元为电子伏特(eV)。若能发生可见光(波长正在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应正在3.26~1.63eV之间。比白光波长长的光为红外光。已有红外、白、黄、绿及蓝光发光二极管,但个中蓝光二极管本钱、价钱很下,运用不广泛。

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